Советы по выращиванию длинноплодного и среднеплодного огурца

источник: Nunhems

Рассада.

При высадке рассада должна иметь 3—4 действительных листа. Для выращивания такой рассады в зимний период, в зависимости от условий, понадобится 3—4 недели. Во время прорастания семян оптимальная температура 26—28°С. После появления всходов первые 17 дней среднесуточная температура должна быть 23°С. Очень важно поддерживать разницу между ночной (21°С) и дневной температурой (26°С). Это обеспечит генеративное развитие растений. При выращивании рассады для первого оборота рекомендуется досвечивать. Использование дополнительного освещения (200—250 Вт/м²) следует начинать при появлении подсемядольных колен сеянцев. Досвечивание используется беспрерывно в течение 2—3 суток. В последующем рассада досвечивается 18 часов в сутки с мощностью 80—200 Вт/м². Оптимальная относительная влажность воздуха — около 70 %.

Условия выращивания.

Сразу после посадки рассады в теплицу (1—2 дня) температура днем и ночью должна быть одинаковая — 22—23°С. Оптимальная густота посадки в первом обороте 1,4—1,6 растений на 1 м².

После двух дней ночная температура — 21°С, а дневная — 23°С (в солнечные дни на 1—2°С выше). Когда растения будут на 50 см ниже проволоки (2 метра) ночную температуру снижают до 19°С, а дневная — 22—23°С. Когда растения загружены плодами (за неделю до первого сбора) ночную температуру снижают до 18°С, а дневную — до 21°С. Температура субстрата при посадке рассады должна быть 24—25°С, через неделю ее можно снизить до 21—22°С.

Оптимальная относительная влажность воздуха утром должна быть 75—80% и 80% после 14:00. Ни в коем случае нельзя допускать поднятия относительной влажности до 100 % и образования конденсата, поскольку это приводит к распространению заболеваний. Для уменьшения влажности температуру в теплице нужно начинать поднимать до восхода солнца и по возможности вентилировать теплицу.

Формировка.

Наиболее часто применяют зонтичную систему формировки растений. На самой ранней стадии удаляют все боковые побеги за исключением последних 2 у вершин растений. Нельзя формировать плоды на главном стебле до высоты 0,8—1,0 м над уровнем грунта. Когда растения перерастают шпалеру на 15 см, точка роста удаляется и растения фиксируются на шпалере. Два боковых побега, сформировавшиеся под шпалерой, перебрасывают через нее. 60—80 см побеги прищипываются, и развиваются новые побеги. С этого момента все вновь развившиеся боковые побеги должны быть прищипнуты приблизительно после 6-го листа.

При выращивании длинноплодных огурцов на минеральной вате концентрацию раствора следует дифференцировать по погодным условиям таким образом, чтобы при солнечной погоде электропроводность отжатой из субстрата жидкости была 2,0—3,0 мСм/см и при пасмурной погоде — 3,0—4,0 мСм/см. Необходимо стремиться к поддержанию рН в пределах 5,5—6,0. Сеянцы, предназначенные для выращивания в минеральной вате, целесообразно выращивать в минеральной вате. Перед посевом субстрат тщательно поливается раствором, электропроводность которого равна 1,5—2,5 мСм/см. В конце выращивания рассады концентрацию поливного раствора следует немного увеличивать (до 3,0 мСм/см). В кубиках электропроводность не следует превышать 3,5 мСм/см. рН поливной воды должно составлять 5—6.

Поделиться: